Vishay推出了第四代具有高性能60V Trenchfet的N通道功率MOSFET

PowerPAKSO-8单体封装，门电荷52 NC，输出电荷68 NC，达到同类产品的最佳水平。

2019年2月21日，Vishay Intertechnology，Inc.（NYSE股票市场代码：VSH）宣布推出新的6.15 mmX 5.15 mm PowerPak SO-8单体封装，60 V TrenchFET第四代N通道功率MOSFET--SIR626DP。Vishay Siliconix SIR626DP是专门为提高功率转换拓扑效率而设计的。它的导通电阻比它的前辈低36%。同时，门极电荷和输出电荷达到了同类产品的最低水平。

Vishay推出了第四代具有高性能60V Trenchfet的N通道功率MOSFET。

器件的最大导通电阻在10V时减小到1.7mW，栅极电荷仅为52Nc，输出电荷为68Nc，coss为992pF，在功率转换应用中，栅极电荷与导通电阻的乘积和输出电荷与导通电阻的积（fom）比其前级分别低32%和45%。MOSFET的COS分别下降了69%。

SIR626DP通过调整提高了技术规格，最大限度地减少了开关损耗，改善了交直流拓扑的同步整流，提高了隔离直流拓扑的一次和二次切换效率。适用于太阳能微型逆变器和通信、服务器、医疗设备电源、电动工具和工业设备的电池切换、电机驱动控制、电池管理模块。

经过100%的RG和UIS测试，MOSFET符合RoHS标准，无卤素。

SIR626DP现在可以提供样品并已实现批量生产。根据市场条件，产品交付周期为30周。